（1）光催化氧化工藝簡介

光化學和光催化氧化法是目前研究較多的一種_氧化技術。光催化反應即在光的作用下進行的化學反應。分子吸收特定波長的電磁輻射后，是分子達到激發態，然后發生化學反應，產生新的物質，或成為熱反應的引發劑。

（2）光催化氧化工藝原理及流程

Ti02作為一種半導體材料其自身的光電特性決定了它可以用作光催化劑。半導體的能帶結構通常是一個電子填充低能量價帶（VB）和一個空的高能量的導帶（CB），導帶和價帶之間的區域被稱為禁帶。

當照射半導體的光能量等于或大于禁帶寬度時，其價帶電子被激發，跨過禁帶進入導帶，并在價帶中產生相應空穴。電子從價帶激發到導帶，激發后分離的電子和空穴都有一部分進一步進行反應。


（3）光催化氧化工藝的影響因素

研究表明，反應物初始濃度對光催化效率或降解速率有明顯的影響。光催化效率隨著初始濃度增加而波動，存在明顯的濃度轉變點；低濃度目標物的光催化降解效率大于高濃度目標物的光催化降解效率。

濕度對光催化反應的影響尚無一致性結論。對于不同化合物或者不同濃度等實驗條件，存在很大的差別。

（4）光催化氧化工藝優缺點

優點：

處理效率高，運行費用低，適用于低濃度廣范圍的 VOCs特別對芳烴的去除效率高；

缺點：

對高濃度 VOCs 處理效率一般；主要還停留在實驗室階段，缺乏實際應用。